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直拉单晶硅/片

产品类型

直拉硅单晶(CZ-Silicon)
采用平扩肩、高拉速制备的大尺寸重/轻掺直拉硅单晶具有低的氧碳含量和高的少子寿命,适用于制作各类集成电路,二极管、 三极管、绿色能源太阳能电池等。可掺入特殊元素例如镓(Ga)、锗(Ge),制作出特殊器件需要的及高效、抗辐射、抗衰减的 太阳能电池用材料。
磁场直拉硅单晶(MCZ)
将磁场用于直拉工艺,生产出具有低氧含量、高电阻率均匀性的直拉单晶,适用于制作各类集成电路器件、各类分立器件,低氧太阳能电池的硅材料。
重掺杂硅单晶(CZ heavily doped crystal)
采用特殊掺杂装置及直拉工艺,可制备出电阻率极低的掺磷、砷、锑(P、Sb、As)的重掺直拉硅单晶,主要用作外延片的衬底材料,用于制造超大规模集成电路开关电源、肖特基、二极管和场控高频电力电子器件等特殊电子器件。
<110>特殊晶向直拉硅单晶
<110>硅单晶产品具有原始晶向<110>,不需二次加工调整晶向,具有晶格结构完美,氧碳含量低等特点,是一种新型的太阳能电池材料,也可以做锂离子电池的电极材料。采用其制备的超薄、高效太阳能电池可获取较高的输电效率,可以有效地克服遮挡效应,同比传统太阳能电池可节约材料3倍。

产品规格

1、直拉硅单晶规格

2、硅片规格

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